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佰維發(fā)布CXL 2.0 DRAM,賦能高性能計算

時間:2023/12/27 閱讀:9208

導(dǎo)語:CXL是一種開放式全新互聯(lián)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),可在主機處理器與加速器、內(nèi)存緩沖區(qū)、智能I/O設(shè)備等設(shè)備之間提供高帶寬、低延遲連接,從而滿足高性能異構(gòu)計算的要求,并且其維護CPU/GPU內(nèi)存空間和連接設(shè)備內(nèi)存之間的一致性,突破內(nèi)存墻瓶頸,縮減整體響應(yīng)時間。此外,CXL支持部署新的內(nèi)存層,可以彌合主內(nèi)存和SSD存儲之間的延遲差距。

 

隨著AI應(yīng)用爆發(fā),“內(nèi)存墻”成為制約計算系統(tǒng)性能的主要因素之一。CXL建立在PCIe的物理和電氣接口之上,CXL內(nèi)存擴展功能可在服務(wù)器中的直連DIMM插槽之外實現(xiàn)額外的內(nèi)存容量和帶寬,支持內(nèi)存池化和共享,滿足高性能CPU/GPU的算力需求。

 

近日,佰維成功研發(fā)并發(fā)布了支持CXL 2.0規(guī)范的CXL DRAM內(nèi)存擴展模塊。佰維CXL 2.0 DRAM采用EDSFF(E3.S)外形規(guī)格,內(nèi)存容量高達(dá)96GB,同時支持PCIe 5.0×8接口,理論帶寬高達(dá)32GB/s,可與支持CXL規(guī)范及E3.S接口的背板和服務(wù)器主板直連,擴展服務(wù)器內(nèi)存容量和帶寬。同時,佰維可針對無E3.S接口的服務(wù)器背板提供CXL AIC轉(zhuǎn)接卡。

 

 

佰維CXL 2.0 DRAM的特點和優(yōu)勢

 

Latency性能方面,在實際測試中,佰維CXL 2.0 DRAM掛載于node 2節(jié)點,與掛載于node 0節(jié)點的CPU存取Latency為247.1ns,帶寬超過21GB/s,Latency性能優(yōu)異,賦能數(shù)據(jù)高速處理。

 

Latency測試

 

Bandwidth測試

 

人工智能(AI)和機器學(xué)習(xí)(ML)對高速數(shù)據(jù)處理的需求持續(xù)增長,佰維CXL 2.0 DRAM兼具支持內(nèi)存容量和帶寬擴展、內(nèi)存池化共享、高帶寬、低延遲、高可靠性等特點,賦能AI高性能計算。目前,佰維可為客戶和合作伙伴提供32GB~96GB CXL 2.0 DRAM的功能樣機,進行聯(lián)合評估和測試。未來,佰維將持續(xù)關(guān)注CXL技術(shù),賦能高性能計算需求。

 

延伸:AIC轉(zhuǎn)接卡

針對無E3.S接口的服務(wù)器背板,佰維可提供AIC轉(zhuǎn)接卡,助力服務(wù)器實現(xiàn)CXL RDIMM內(nèi)存擴展。